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SK 海力士實現量產 HBM2E 顯存:單顆 16GB、帶寬超 460GB/s

2020/7/2 14:31:18來源:IT之家作者:問舟/實習責編:問舟/實習評論:

IT之家7月2日消息  據外媒 prnewswire 今日報道,SK 海力士宣布,其已能夠大規模批量生產新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。

IT之家了解到,去年 8 月 SK 海力士宣布成功研發出新一代 DRAM 內存 / 顯存芯片 “HBM2E”。今日,海力士正式已成功量產這一代 HBM2E 存儲。

圖源 SK 海力士官網

官方稱其 HBM2E 擁有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的帶寬、 共 1024 個 I / O(輸入 / 輸出)。HBM2E 通過 TSV(Through Silicon Via)硅穿孔技術垂直堆疊八顆 16 Gb DRAM 芯片,容量達16GB,是上一代產品(HBM2)兩倍以上的容量。

值得一提的是,SK 海力士也是第一個研發出 HBM 存儲的廠商。首發于 2015 年的 AMD Radeon Fury 顯卡中。

海力士還表示,HBM2E 是適合深度學習加速器(deep learning accelerator)、高性能計算機等新一代人工智能(AI)系統的存儲器解決方案,將用于更多合作伙伴的產品。

注:

HBM:High Bandwidth Memory,高帶寬內存,相較傳統 DRAM,借助 TSV 技術提升數據處理速度的高性能、高帶寬存儲器產品

TSV(Through Silicon Via):硅打孔技術,通過在 DRAM 芯片打上數千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術,可降低芯片功耗以及縮減芯片體積。

460GB/s 計算:以每 pin 3.6Gbps 的速度通過 1024 個數據 I/O = 3686.4Gbps=460.8GB/s。

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關鍵詞:SK海力士HBM2E

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