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格羅方德 FinFET 工藝 12LP 終成,下半年流片

2020/7/2 14:13:33來源:IT之家作者:問舟/實習責編:問舟/實習評論:

IT之家7月2日消息  當地時間 2020 年 6 月 30 日,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣稱其最先進的 FinFET 技術解決方案 12LP + 已完成技術鑒定,并已準備在下半年正式投產。

2018 年 8 月,格羅方德宣布無限期停止 7nm 工藝的投資研發,繼而轉向現有 14/12nm FinFET 工藝。據格羅方德稱,12LP+ 建立在其 14nm/12LP 平臺之上。LP12 + 針對人工智能 (AI)進行了優化,且在 AI 訓練芯片領域通過了 IP 驗證。

得益于性能驅動的區塊優化組件、獨立鰭片單元、新的低壓 SRAM 和改進的模擬布局設計法則等優化,12LP + 相較于 12LP,實現了性能提升 20%,占用面積減少 10%的進步。與 14LPP 相比,12LP + 可實現 10% 的封裝密度提升和 6% 的頻率提升。

另外,格羅方德也在拓展 12nmLP + 的 IP 產品組合,其中包括 PCIe 3/4/5、USB 2/3 主控芯片、HBM2/2e 顯存、DDR/LPDDR4/4X 芯片、GDDR6 芯片等。

IT之家了解到,目前格羅方德旗下最先進的工廠是位于美國紐約的 Fab8。且上周他們在這附近又獲得了一塊未開發的土地購買選擇權,面積約為 66 英畝,約 26.7 公頃。據媒體芯智訊稱,Fab 8 或將會迎來擴建,且格羅方德方面也宣布計劃于 2020 年下半月進行數次 12LP+ 流片試產。

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